Компания CREE объявила о выходе двух новых GaN-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT)

Основной областью применения новинок, CGHV14250 и CGHV14500 с выходной мощностью 250 Вт и 500 Вт соответственно, являются радары L-диапазона с диапазоном рабочих частот 1, 2–1, 4 ГГц.

Новые транзисторы CREE по сравнению с существующими компонентами обладают повышенной эффективностью при температуре 85°C, высоким коэффициентом усиления по мощности, а также широкой пропускной способностью. Это позволяет улучшить характеристики специального оборудования, работающего в диапазоне частот от UHF до 1, 8 ГГц: радионавигационных систем ближнего действия (TACAN), радиолокационных систем опознавания самолетов и кораблей типа «свой – чужой» (IFF) и других военных телеметрических систем.

С помощью новых транзисторов, основанных на технологии GaN на SiC с рабочим напряжением 50 В и толщиной затвора 0, 4 мкм, специалисты-разработчики могут получить отличные показатели мощности и малые искажения, связанные, например, с изменениями формы сигнала.

Данные компоненты имеют предварительное согласование на входе, собраны в металлокерамических фланцевых корпусах или корпусах таблеточного типа, которые значительно меньше, чем аналогичные СВЧ-компоненты на основе арсенида галлия (GaAs) или кремния (Si), что дает возможность обеспечить гибкий подход в проектировании новых решений.

Новые изделия имеют следующие характеристики:

транзистор CGHV14250

• типичная выходная мощность 330 Вт,
• коэффициент усиления составляет 18 дБ,
• типовой КПД стока равен 77%;

транзистор CGHV14500

• типичная выходная мощность 500 Вт,
• коэффициент усиления составляет 17 дБ,
• типовой КПД стока равен 70%.

Цилиндрический герметичный вандалоустойчивый соединитель от Bulgin
Кабельные части разъемов предусматривают использование кабеля диаметром от 5 до 15 мм, возможен выбор сальника на более точный и узкий диапазон значений диаметра кабеля для обеспечения его лучшей фиксации