Серия программируемых источников питания Z+ пополнилась моделями мощностью 600 Вт

Новинки, представленные TDK-Lambda, дополняют линейки Z+200, Z+400 и Z+800, обладая теми же высокими функциональными характеристиками и 5-летней гарантией.

Серия Z+600 призвана удовлетворить спрос на высококачественные источники питания настольного исполнения для научно-исследовательских применений. Сохранив габаритные размеры менее мощных моделей линейки, 600-ваттные источники питания обладают высоким показателем удельной мощности. Данная линейка идеально подходит для встраивания в 19” стойки в составе сборок высотой 2U, тем самым является оптимальным выбором для использования в контрольно-измерительном оборудовании, нагрузочных испытаниях полупроводников, тестировании компонентов, системах полупроводниковых лазеров, нагревателей, ВЧ-усилителей и электромагнитов.

Модели серии доступны в модификациях с выходным напряжением до 100 В постоянного тока и выходным током до 60 А. Блоки Z+600 могут обеспечивать режим постоянного тока или постоянного напряжения, работая в широком диапазоне напряжений питания (85–265 В перем. тока). При параллельном соединении 6 одинаковых модулей можно создать системы с более высокой мощностью благодаря активному распределению токов. Последовательное соединение двух блоков обеспечит биполярный выход или повышение выходного напряжения.

Программирование всех моделей может осуществляться как через переднюю панель, так и дистанционно через порты USB и RS232/485, и кроме того через аналоговый интерфейс, предусмотренный в стандартной комплектации. Опционально доступны интерфейсы LAN и GPIB (IEEE488), а также изолированный аналоговый интерфейс программирования. Источники питания Z+600 соответствуют требованиям стандартов EN55022-B, FCC (часть 15-B) и VCCI-B по уровню кондуктивных и излучаемых электромагнитных помех, маркированы знаком CE в соответствии с Директивой Евросоюза по низковольтному оборудованию (LV) и Директивой Евросоюза по содержанию вредных веществ в электронных устройствах (RoHS). Конструкция блоков серии обеспечивает соответствие требованиям стандартов UL/EN/IEC61010-1 и UL/EN60950-1 по электробезопасности.

Компания CREE объявила о выходе двух новых GaN-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT)
С помощью новых транзисторов, основанных на технологии GaN на SiC с рабочим напряжением 50 В и толщиной затвора 0, 4 мкм, специалисты-разработчики могут получить отличные показатели мощности и малые искажения, связанные, например, с изменениями формы сигнала